(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210678382.8 (22)申请日 2022.06.13 (71)申请人 电子科技大 学 地址 611731 四川省成 都市高新区 （西区） 西源大道 2006号 (72)发明人 唐樟春　岳涧洲　夏艳君　植良蕊　 周向成　刘盼　 (74)专利代理 机构 电子科技大 学专利中心 51203 专利代理师 陈一鑫 (51)Int.Cl. G06F 30/20(2020.01) G06F 119/02(2020.01) G06F 119/04(2020.01) (54)发明名称 一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评 估方法 (57)摘要 本发明公开了一种考虑碳膜电阻器退化初 值的可靠性评估 方法， 碳膜电阻器的可靠性分析 领域， 尤其针对碳膜电阻的伪失效寿命计算。 将 退化初始值的随机性引入到传统退化轨迹模型 里面， 并且计算样本退化数据的拟合残差平方 和， 制定择优准则令拟合残差平方和最小为最优 退化轨迹模 型， 随后求出该退化轨迹模型的伪失 效寿命， 提升了后续可靠性分析的估计精度。 权利要求书2页 说明书8页 附图1页 CN 115186445 A 2022.10.14 CN 115186445 A 1.一种考虑碳膜电阻器退化初值的可靠性评估方法， 该 方法包含如下： 步骤1： 设定碳膜电阻器的正常环境作用为温度应力， 并进行加速退化试验测量电阻值 的变化数据即性能退化数据， 每组加速应力水平下有i个电阻器测试样本， 并假定失效阈值 为l； 步骤2： 建立 考虑随机初值的四种退化轨 迹模型， 具体步骤如下： 步骤2.1： 对碳膜电阻器的退化初始值考虑随机性， 并根据 退化数据建立退化轨迹模型 如下： (1)线性退化： yi＝αit+βi (2)对数退化： yi＝αiln t+βi (3)指数退化： yi＝βiexp( αit) (4)幂律退化： 式子中， yi为产品的碳膜电阻器性能退化指标， i为碳膜电阻器试验样本个数， t为试验 时间， αi为退化模型参数， βi为退化初始值， 设服从正态分布βi～N( μ, σ2)； 于是yi的密度函数 分别对应表示 为： (1) (2) (3) (4) 其中， σ 表示退化初值的方差， μ表示 化初值的均值； 假设电阻器的失 效阈值为l， 当性能yi≥l时表示碳膜电阻器失 效， 则碳膜电阻器的特征 寿命T为退化过程第一次达 到l的时间， 对应为： (1) (2) (3) 权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115186445 A 2(4) 特征寿命T同样服从正态分布， 则均值 为平均寿命， 将其作为伪失效寿命值； 步骤3： 退化轨 迹模型的实时选择； 计算各个样本的S SE均值： 上式中： h(ti)表示每个试验样本在第i个时间点的真实退化量， h0(ti)表示将退化轨迹 模型对退化数据进行拟合得到未知参数后， 再对应h(ti)检测时间的拟合退化 量； 计算出的碳膜电阻器的伪失效寿命， 可靠度R(t)为： 其中， x为伪失效寿命值； 计算拟合优度Q， Q＝2k‑2ln L 其中， ln L表示对数似然函数， L为应力水平个数， μ为漂移系数， ξ为扩散系数， yk为第k 个应力水平下测量的性能退化 量； 将SSE， R(t)， Q进行归一化后， 加权相加， 相加结果最大值对应的退化轨迹模型， 作为实 时计算碳膜电阻器可靠性的模型。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115186445 A 3