(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210373075.9 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人 合肥御微半导体技 术有限公司 地址 230088 安徽省合肥市高新区华佗巷 469号品恩科技园1号楼 (72)发明人 徐扬　沈锦华　 (74)专利代理 机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 赵翠香 (51)Int.Cl. H04N 5/232(2006.01) G01N 21/95(2006.01) H01L 21/66(2006.01) (54)发明名称 一种晶圆检测中的动态对焦方法、 装置、 设 备和介质 (57)摘要 本发明公开了一种晶圆检测中的动态对焦 方法、 装置、 设备和介质， 其中， 对焦方法通过先 获取第一待检测晶圆的原始面型， 接着通过动态 选取不同的预设路径和拟合算法来获取第一待 检测晶圆的拟合面型， 当第一待检测晶圆的拟合 面型和原始面型之间的残差小于或等于成像设 备的焦深， 则选择当前预设路径和当前拟合算法 拟合待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的 拟合面型， 并根据拟合面型控制成像 设备对各待 检测晶圆进行成像。 以实现在对焦过程中可以根 据晶圆本身的情况动态选择拟合算法和扫描路 径， 避免在同一批次的晶圆检测中使用单一的路 径和拟合 算法， 导致的搭配不佳、 产率低的问题。 权利要求书3页 说明书12页 附图5页 CN 114827457 A 2022.07.29 CN 114827457 A 1.一种晶圆检测中的动态对焦方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 获取待检测的同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原 始面型； 选择第i预设路径和第j 拟合算法拟合出 所述第一待检测晶圆的第一拟合 面型； 获取所述第一拟合 面型和所述原 始面型之间的第一残差； 若所述第一残差大于成像设备的焦深， 则选择第i+m预设路径和第j+n拟合算法， 拟合 出所述第一待检测晶圆的第二拟合 面型； 获取所述第二拟合 面型和所述原 始面型之间的第二残差； 依次重复， 直至所述第 一待检测晶圆的拟合面型和 原始面型之间的残差小于或等于所 述成像设备的焦深， 则选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆 中各待检测晶圆的拟合面型， 并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测晶圆 进行成像， 其中， i,j为 正整数,m,n 为自然数， m,n 不同时为0 。 2.根据权利要求1所述的 晶圆检测中的动态对焦方法， 其特 征在于， 第i+m‑1预设路径相较于所述第i+m预设路径短； 第j+n ‑1拟合算法相较于所述第j+n拟 合算法的拟合阶数低， 其中， m,n 为正整数。 3.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法， 其特征在于， 所述选择当前预设 路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型， 并根据 所述拟合 面型控制所述成像设备对各 所述待检测晶圆进行成像包括： 选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中第二待检测晶 圆的拟合 面型， 并根据所述拟合 面型控制所述成像设备对所述第二待检测晶圆进行成像； 获取第二待检测晶圆的图像； 获取所述第二待检测晶圆的图像的清晰度； 若所述第二待检测晶圆的图像的清晰度小于预设清晰度， 则调整所述当前预设路径和 所述当前拟合算法， 并当所述第一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等 于所述成像设备的焦深时， 选择调整后的预设路径和拟合算法拟合所述待检测的同一批次 晶圆中第三待检测晶圆的拟合面型， 并根据所述拟合面型控制所述成像设备对所述第三待 检测晶圆进行成像； 获取第三待检测晶圆的图像； 获取所述第三待检测晶圆的图像的清晰度； 依次重复， 直至第k待检测晶圆的图像的清晰度 大于或等于所述预设清晰度， 选择最后 一次调整得到的预设路径和拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中其余各待检测晶 圆的拟合面型， 并根据所述拟合面型控制所述成像设备对其余各所述待检测晶圆进行成 像； 其中k 为正整数， k≥3 。 4.根据权利要求3所述的 晶圆检测中的动态对焦方法， 其特 征在于， 所述获取第二待检测晶圆的图像包括： 获取所述第二待检测晶圆的多个局部图像； 拼接各个局部图像形成第二拼接整体图 像； 所述获取 所述第二待检测晶圆的图像的清晰度包括： 获取所述第二 拼接整体图像的清晰度； 所述获取第三待检测晶圆的图像包括：权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 114827457 A 2获取所述第三待检测晶圆的多个局部图像； 拼接各个局部图像形成第三拼接整体图 像； 所述获取 所述第三待检测晶圆的图像的清晰度包括： 获取所述第三 拼接整体图像的清晰度。 5.根据权利要求3所述的 晶圆检测中的动态对焦方法， 其特 征在于， 所述获取第二待检测晶圆的图像包括： 获取所述第二待检测晶圆的任一局部图像； 所述获取 所述第二待检测晶圆的图像的清晰度包括： 获取所述第二待检测晶圆的任一局部图像的清晰度； 所述获取第三待检测晶圆的图像包括： 获取所述第三待检测晶圆的任一局部图像； 所述获取 所述第三待检测晶圆的图像的清晰度包括： 获取所述第三待检测晶圆的任一局部图像的清晰度。 6.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法， 其特征在于， 所述获取待检测的 同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原 始面型包括： 控制对焦 传感器对所述第一待检测晶圆的表面进行 数据采集； 根据所述对焦 传感器采集的数据形成所述第一待检测晶圆的三维面型 热力图。 7.一种晶圆检测中的动态对焦装置， 其特 征在于， 包括： 原始面型获取模块， 用于获取待检测的同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原 始面型； 第一拟合面型获取模块， 用于选择第 i预设路径和第j拟合算法拟合出所述第 一待检测 晶圆的第一拟合 面型； 第一残差获取模块， 用于获取 所述第一拟合 面型和所述原 始面型之间的第一残差； 第一残差判断模块， 用于若所述第一残差大于成像设备的焦深， 则选择第 i+m预设路径 和第j+n拟合 算法， 拟合出 所述第一待检测晶圆的第二拟合 面型； 第二残差获取模块， 用于获取 所述第二拟合 面型和所述原 始面型之间的第二残差； 确定模块， 用于当所述第 一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等于 所述成像设备的焦深时， 则选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次 晶圆中各待检测晶圆的拟合面型， 并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测 晶圆进行成像， 其中， i,j为 正整数,m,n 为自然数， m,n 不同时为0 。 8.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法， 其特征在于， 所述确定模块， 包 括： 第一成像单元， 用于选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶 圆中第二待检测晶圆的拟合面型， 并根据所述拟合面型控制所述成像设备对所述第二待检 测晶圆进行成像； 第一图像获取 单元， 用于获取第二待检测晶圆的图像； 第一清晰度获取 单元， 用于获取 所述第二待检测晶圆的图像的清晰度； 第一清晰度判断单元， 用于若所述第二待检测晶圆的图像的清晰度小于预设清晰度， 则调整所述当前预设路径和所述当前拟合算法， 并当所述第一待检测晶圆的拟合面型和原 始面型之 间的残差小于或等于所述成像设备的焦深时， 选择调整后的预设路径和拟合算法权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 114827457 A 3