ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T25075—2010 太 阳能电池用砷化镓单晶 Galliumarsenidesinglecrystalforsolarcell 2010-09-02发布 2011-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位:中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:曾一平、赵有文、提刘旺、崔利杰、向磊、普世坤。 ⅠGB/T25075—2010 太阳能电池用砷化镓单晶 1 范围 本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒(以下简称砷化镓单晶棒)的分类、技术要求、检验方法和 规则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法 3 要求 3.1 分类 砷化镓单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。 3.2 规格 砷化镓单晶棒按直径分为ϕ50.8mm、ϕ76.2mm、ϕ100mm、ϕ150mm四种规格。 3.3 外形尺寸 砷化镓单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定,表中未列出外形尺寸及允许偏差由供需双方协商 解决。 表1 外形尺寸 单位为毫米 晶棒直径 50.8 76.2 100 150 允许偏差 ±0.4 ±0.4 ±0.4 ±0.4 晶棒长度 ≥40 ≥50 ≥50 ≥60 3.4 外观 砷化镓单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm2的崩痕或崩边。 3.5 电学性能 砷化镓单晶棒的电学性能应符合表2的规定。 1GB/T25075—2010 表2 电学性能 导电类型电阻率 Ω·cm迁移率 cm2/V·S载流子浓度 cm-3 n 0.1~1×10-3≥1000 5×1017~4×1018 p 0.3~15×10-2≥40 5×1017~5×1019 3.6 晶向及晶向偏离度 砷化镓单晶棒取向为:<100>、<111>,滚圆后的晶向偏离不大于0.5°(当客户对晶向参数有特 殊要求时由供需双方在合同中确定)。 3.7 位错密度和分布要求 砷化镓单晶棒的位错密度和位错类型和分布要求应符合表3的规定,当客户对晶体位错密度参数 和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 表3 位错密度和分布要求 直径ϕ50.8 ϕ76.2 ϕ100 ϕ150 位错密度/(个/cm2) ≤2×103≤4×103≤1×104≤5×104 位错类型 和 分布要求1)在晶棒的检测样片直径1/20的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过 0.5mm2的位错团。 2)如在晶棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团,则不允许位错排或位 错团是向晶棒轴心方向延伸的。 4 检验方法 4.1 外形尺寸 用精度0.02mm的游标卡尺进行测量。 4.2 外观 用测量显微镜进行观察和测量。 4.3 电阻率 按GB/T4326规定的测量方法进行。 4.4 迁移率 按GB/T4326规定的测量方法进行。 4.5 载流子浓度 按GB/T4326规定的测量方法进行。 2GB/T25075—2010