UDC 621.382.323 L 44 中华人民共和国国家标准 GB/T 15449—1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application 1995-01-05发布 1995-08-01实施 国家技术监督局 发布 中华人民共和国国家标准 管壳额定开关用场效应晶体管 GB/T 15449--1995 空白详细规范 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application 本空白详细规范规定了制订管壳额定开关用场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的 所有详细规范应与本空白详细规范-致。 本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的-个，并应与下列规范一起使用：GB4589.1 《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB12560《半导体器件分立器件分规范》。 要求资料： 本页及下页括号内所示的数字对应于以下要求资料的项目，并列入规定的栏目中。 详细规范的识别： （1）批准发布本详细规范的组织：国家标准机构的名称。 （2）详细规范的IECQ号。 （3）总规范号、分规范号和版本号。 （4）详细规范号、发布日期及国家体系要求的任何更多的资料。 器件的识别 （5）器件类型。 （6）典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用，则在详细规范中指出。特性、极限值及 检验要求对于这些应用均应满足。如果器件为静电敏感件，或包含危险材料例如铍的氧化物，应写上警 告说明。 （7）外形图和（或）引用有关的外形文件。 （8）质量评定类别。 （9）能在器件类型之间比较的最重要的特性参考数据。 国家技术监督局1995-01-05批准 1995-08-01实施 1 GB/T 15449-—1995 (1) (2) 评定电子器件质量的根据： (3) 详细规范号【如果规范号重复IECQ号， (4) 则本栏可以不用】 GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总 规范》 GB12560《半导体器件分立器件分规范》 详细规范 (5) 【有关器件的型号】定货资料：见本规范的第7章。 1 机械说明 (7) 2 简略说明 (6) 外形标准GB7581《半导体分立器件外形尺 管壳额定开关用场效应晶体管器件类型： 《f A型：结或肖特基栅型 外形图 B型：绝缘栅耗尽型 【可以转到本规范的第10条或在该条中给出 C型：绝缘栅增强型 更多的细节】 半导体材料：[Si］ 引出端识别： 极性：(N沟或P沟】 【表示引出端功能，包括图示符号】 封装：【空腔和（或)非空腔】 标志：【字母、图形或色码】 【注意：装配静电敏感器件应遵守预防措施 【如有数据，详细规范应规定标志在器件上的 【（如果适用)） 数据】 【见总规范的第2.5条和（或）本规范的第6 条】 3质量评定类别 【如果采用特殊方法，则需极性标识】 (8) 【根据总规范的第2.6条】 参考数据 (9) [Tamb,Tea,V......] 按本详细规范鉴定合格的器件的有关制造单位的资料，可在现行的合格一览表中查到 【整个规范，在方括号内给出的条款供指导规范制订者使用，而不包括在详细规范里。】 【整个规范，用于特性和额定值处的“×”表示在详细规范中填入的值。］ GB/T 15449—1995 4极限值（绝对最大额定值） 除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 【只重复使用带标题的条款号。任何附加值应在适当的地方给出，但没有条款号】 【最好在本规范的第10条给出曲线。］ A型 B型 C型 条款号 极限值 符号 最小最大最小最大最小最大 4. 1 最低和最高工作管壳温度 Tcase X 4. 2 最低和最高贮存温度 T stg X X 4.3 在规定条件下的最高漏源电压 Vpsx或 Vss或 x VsR 4: 4 漏源短路时最高反向栅源电压 Vcss 【适用时】漏源短路时最高正向栅源电压 VGss(F) 4. 5 源极开路时最高栅漏电压 VGDO 4. 6 最大正向栅极电流 IcF 4.7 最大漏极电流 IDzc X 4. 8 耗散功率(应规定通风和(或)安装的特 殊要求丁 4.8.1 温度为函数时的最大耗散功率 Ptotmax X f(Tcnse) 4.8.2 最高有效沟道温度和耗散功率的绝对极 Tehmax 限值1 Protabs X 4.9 安全工作区 SOAR 4. 10 ［源与衬底引出端分开的绝缘栅器件（通 常，包括栅极保护二极管的器件不要求 规定这条）2) 4.10.1 在规定条件下的最高栅衬电压 VGB 4.10.2 在规定条件下的最高漏衬电压 VDR 4.10.3 在规定条件下的最高源衬电压 VsB 注：1）当规定Tehmax和Prorabe时，还必须规定Rth(jcae)适用时，并规定Zth(icase)。见5.7和5.8条。 2）适用时。 GB/T 15449—1995 5电特性 检验要求见本规范第8章 【使用的条款号与标题一致。附加值应在适当的地方给出，但没有条款号。］ 【当同一详细规范规定几个器件时，应逐行给出相关值，以避免重复相同值。］ 特性和条件 类型 试验 条款号 （见总规范的第4章） 符号 组别 除非另有规定 Tcase=25℃C A B C 5. 1 源极开路时，最好在最高额定栅漏电压VGDo下的最 IGDO(1) X X A2b 大漏泄或栅极截止电流 漏源短路时，最好在最高额定栅源电压VGss下的最 IGss(1) A2b 大漏泄或栅极截止电流 在规定Vps和规定Vcs或Ip下的最大漏泄或栅极截IGsx X X X A2b 止电流 5. 2 源极开路时，VGD最好在最高额定VGIo的65%和IGDO(2) X X X C2b 85%之间及高温条件下的最大漏泄或栅极截止电流 漏源短路时，Vcs最好在最高额定VGss的65%和 X + C2b + 85%之间及高温条件下的最大漏泄或栅极截止电流 5. 3 在规定Vps和Ip下的最低和最高栅源截止电压 VGs(f) A2b 在规定Vps和Ip下的最低和最高栅源阈电压 VGs(TO) A2b 在规定VGs、ID下的最高漏源电压 Vps(on) X A2b 5. 4 在Vcs=0和规定VDs下的最小和最大漏极电流【直 Inss X A2b 流或脉冲，按规定 5. 5 在规定Vcs和VDs下的最小和最大漏极电流 Ib X A2b 5. 6 在规定Vns和Vcs下的最大漏极截止电流 I psx X X X A2b 5. 7 结到管壳最大热阻【当引用沟道有效温度为额定值 Rth(j-case) XX X C2d 时] 5.8 沟道到管壳的最大瞬时热阻抗【当引用沟道有效温 Zth(i-case) X X X C2d 度为额定值时 5. 9 在规定Ip和Vcs下的最高或最低通态漏源电阻 IDs(on) X X X A2b 5. 10 在规定Vps和Vs下的最高或最低断态漏源电阻 rps(off) X X A2b 5. 11 最大开关时间，在共源组态中，最好在下列规定条件 下: 输出负载电容和电阻（CL和RL）；输入脉冲渡越时 间、幅度、宽度及重复频率； GB/T15449-1995 特性和条件 类型 试验 条款号 （见总规范的第4章） 符 号 组别 除非另有规定Tcase=25℃ A B C VGs(of-state)L对A型、B型大于或等于VGs(off)max（在5.3 条中规定），对C型小于或等于Vcs(TO)min（在5.3条 中规定)； VGS(on-state)【对应于大的 ID]; VDs 5.11.1 开启延迟时间 td(on) X 5.11. 2 上升时间 tr X X + 5.11.3 关闭延迟时间1 ta(oft) X X A4 【或】 5.11.4 下降时间 tr + X 5.11.5 关闭时间(ta(o)≤t] toff X X 5. 12 在规定频率、Vps和VGs（或ID）下的最大小信号共源 电容 5.12.1 输入电容 Ciss X X 5.12.2 输出电容 Cos + C2a 5.12.3 反馈电容 Crss 6标志 [除了前面(7)栏（条款1)和(或)总规范的2.5条所给出的外。其他特殊资料应在这里给出】。 7定货资料 [除非另有规定，定购一种具体器件至少需要以下资料： 正确的型号（如果要求，还需标称电压值。）； 当有关时，带版本号和（或）日期的IECQ详细规范标准； 质量评定类别，按分规范第3.7条的规定，如果要求，按照分规范第3.6条所规定的顺序筛选； 其他详细资料。 8试验条件和检验要求 【在下列表格中给出试验条件和检验要求，其中使用的数值和确切的试验条件按照给定型号的要求 和国家标准有关试验的要求规定。」 【当在同一详细规范中包括几种器件时，有关条件和（或）数值应逐行给出，尽可能避免相同条件和 （或）数值的重复。） 【当编写详细规范时，应在各种替换试验或各种试验方法之间进行选择。】 【除非另有规定，下文中引用的条款号对应于总规范，测试方法引自分规范第4章。］ 【关于抽样要求，按适用的质量评定类别，参照或重述分规范3.7条的数值。］ 【对于A组，详细规范中应选择AQL或LTPD方案。］ SAG 5 GB/T 15449—1995 A组—逐批 LSI=规范下限 USL=规范上限 检验要求极限 条件 类型