书 书 书犐犆犛 ３１ ． ２６０ 犔 ５３ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ 功率半导体发光二极管芯片技术规范 犜犲犮犺狀犻犮犪犾狊狆犲犮犻犳犻犮犪狋犻狅狀犳狅狉狆狅狑犲狉犾犻犵犺狋犲犿犻狋狋犻狀犵犱犻狅犱犲犮犺犻狆狊 ２０１８  ０６  ０７ 发布 ２０１９  ０１  ０１ 实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布目 　　 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… １ 　 范围 １ ……………………………………………………………………………………………………… ２ 　 规范性引用文件 １ ………………………………………………………………………………………… ３ 　 要求 １ ……………………………………………………………………………………………………… ４ 　 检验方法 ４ ………………………………………………………………………………………………… ５ 　 检验规则 ５ ………………………………………………………………………………………………… ６ 　 包装 、 运输和储存 ９ ………………………………………………………………………………………… 附录 Ａ （ 规范性附录 ） 　 功率半导体发光二极管芯片的目检 １１ …………………………………………… 附录 Ｂ （ 规范性附录 ） 　 人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 １４ ………………………… 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ 前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 。 本标准由中国人民共和国工业和信息化部 （ 电子 ） 归口 。 本标准起草单位 ： 中国电子科技集团公司第十三研究所 、 国家半导体器件质量监督检验中心 、 中国电子技术标准化研究院 、 厦门市三安光电科技有限公司 。 本标准主要起草人 ： 张瑞霞 、 赵敏 、 黄杰 、 赵英 、 刘秀娟 、 蔡伟智 、 彭浩 、 刘东月 、 张晨朝 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ 功率半导体发光二极管芯片技术规范 １ 　 范围 本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品 （ 以下简称芯片 ） 的技术要求 、 检验方法 、 检验规则 、 包装 、 运输和储存等 。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ２４２３．４ — ２００８ 　 电工电子产品环境试验 　 第 ２ 部分 ： 试验方法 　 试验 Ｄｂ ： 交变湿热 （ １２ｈ＋１２ｈ 循环 ） ＧＢ ／ Ｔ２４２３．１５ — ２００８ 　 电工电子产品环境试验 　 第 ２ 部分 ： 试验方法 　 试验 Ｇａ 和导则 ： 稳态加速度 ＧＢ ／ Ｔ２４２３．２２ — ２０１２ 　 环境试验 　 第 ２ 部分 ： 试验方法 　 试验 Ｎ ： 温度变化 ＧＢ ／ Ｔ４５８９．１ — ２００６ 　 半导体器件 　 第 １０ 部分 ： 分立器件和集成电路总规范 ＧＢ ／ Ｔ４９３７．１ — ２００６ 　 半导体器件 　 机械和气候试验方法 　 第 １ 部分 ： 总则 ＳＪ ／ Ｔ１１３９４ — ２００９ 　 半导体发光二极管测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１３９９ — ２００９ 　 半导体发光二极管芯片测试方法 ＩＥＣ６０７４９ （ 所有部分 ） 　 半导体器件 　 机械和气候试验方法 （ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ — Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌａｎｄｃｌｉｍａｔｉｃｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｓ ） ＩＥＣ６０７４９１９ ： ２０１０ 　 半导体器件 　 机械和气候试验方法 　 第 １９ 部分 ： 芯片剪切强度 （ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ — Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌａｎｄｃｌｉｍａｔｉｃｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｓ — Ｐａｒｔ１９ ： Ｄｉｅｓｈｅａｒｓｔｒｅｎｇｔｈ ） ＩＥＣ６０７４９２２ ： ２００２ 　 半导体器件 　 机械和气候试验方法 　 第 ２２ 部分 ： 键合强度 （ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｅｖｉｃｅｓ — Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌａｎｄｃｌｉｍａｔｉｃｔｅｓｔｍｅｔｈｏｄｓ — Ｐａｒｔ２２ ： Ｂｏｎｄｓｔｒｅｎｇｔｈ ） ３ 　 要求 ３ ． １ 　 通则 ３ ． １ ． １ 　 优先顺序 芯片应符合本标准和相关详细规范的要求 。 本标准的要求与相关详细规范不一致时 ， 应以相关详细规范为准 。 ３ ． １ ． ２ 　 对详细规范的引用 本标准中使用 “ 按规定 ” 一词而未指明引用的文件时 ， 即指引用相关详细规范 。 １ 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ ３ ． ２ 　 材料和结构 ３ ． ２ ． １ 　 材料 应采用能使芯片符合本标准性能要求的半导体材料 ， 且所用材料在规定的试验条件下 ， 应无刮伤 、 划痕 、 翘曲等影响芯片贮存 、 工作和环境适应能力的缺陷 。 ３ ． ２ ． ２ 　 外形尺寸 芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定 。 ３ ． ２ ． ３ 　 键合区 键合区的大小 、 位置 、 顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定 。 ３ ． ３ 　 外观质量 芯片的外观质量应符合附录 Ａ 的规定 。 ３ ． ４ 　 绝对最大额定值和特性 ３ ． ４ ． １ 　 绝对最大额定值 绝对最大额定值要求见表 １ 。 表 １ 　 绝对最大额定值 章条号 参数 符号数值 最小 最大 单位 ３．４．１．１ 贮存温度 犜 ｓｔｇ × × ℃ ３．４．１．２ 工作环境温度 犜 ａｍｂ × × ℃ ３．４．１．３ 结温 犜 ｊ — × ℃ ３．４．１．４ 焊接温度 （ 规定最长焊接时间 ） 犜 ｓｌｄ — × ×℃ ｓ ３．４．１．５ 反向电压 犞 Ｒ — × Ｖ ３．４．１．６ 环境温度为 ２５℃ 下的直流正向电流 犐 Ｆ × × ｍＡ ３．４．１．７ 环境温度为 ２５℃ 下的峰值正向电流 （ 规定的脉冲条件下 ）（ 适用时 ） 犐 ＦＭ — × Ａ ３．４．１．８ 静电敏感电压 （ 适用时 ） 犞 ＥＳＤ — × Ｖ 　　 注 ： × 表示应规定的具体值 。 ３ ． ４ ． ２ 　 光电特性 芯片的光电特性应符合表 ２ 和相关详细规范的规定 。 ２ 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ 表 ２ 　 光电特性 章条号 特性 符号条件 除非另有规定 犜 ａｍｂ ＝２５℃ 要求 最小 最大 单位 ３．４．２．１ 正向电压 犞 Ｆ 犐 Ｆ 按规定 — × Ｖ ３．４．２．２ 反向电流 犐 Ｒ 犞 Ｒ 按规定 — × μ Ａ ３．４．２．３ 光功率 或光通量 Φ ｅ Φ Ｖ 犐 Ｆ 按规定 犐 Ｆ 按规定 × × — — Ｗ ｌｍ ３．４．２．４ 主波长 或峰值发射波长 λ ｄ λ ｐ 犐 Ｆ 按规定 犐 Ｆ 按规定 × ×× ×ｎｍ ｎｍ 　　 注 ： × 表示应规定的具体值 。 ３ ． ５ 　 环境适应性 ３ ． ５ ． １ 　 键合强度 芯片键合后进行键合拉力试验 ， 键合拉力符合 ＩＥＣ６０７４９２２ ： ２００２ 的规定 。 ３ ． ５ ． ２ 　 剪切力 将芯片粘接或共晶焊在支架上 ， 进行剪切力试验 ， 剪切力符合 ＩＥＣ６０７４９１９ ： ２０１０ 的规定 。 ３ ． ５ ． ３ 　 温度循环 将芯片进行封装 ， 按最低和最高贮存温度进行温度循环试验 ， 循环次数按规定 。 试验后 ， 性能参数符合表 ６ 的规定 。 ３ ． ５ ． ４ 　 循环湿热 将芯片进行封装 ， 进行循环湿热试验 ， 试验后 ， 性能参数符合表 ６ 的规定 。 ３ ． ５ ． ５ 　 恒定加速度 （ 仅适用于空腔封装器件 ） 将芯片进行封装 ， 进行恒定加速度试验 ， 试验后 ， 性能参数符合表 ６ 的规定 。 ３ ． ６ 　 电耐久性 将芯片进行封装 ， 按 ＧＢ ／ Ｔ４５８９．１ — ２００６ 的 ３．１０．２ 的规定 ， 加电工作 １６８ｈ 后 ， 电性能符合表 ５ 的规定 ； 加电工作 １０００ｈ 后 ， 电性能符合表 ６ 的规定 。 ３ ． ７ 　 静电放电敏感度 （ 适用时 ） 按照 ＳＪ ／ Ｔ１１３９４ — ２００９ 中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和 ／ 或机器模式静电放电敏感度试验 ， 分级标准见附录 Ｂ 。 ３ 犌犅 ／ 犜 ３６３５６ — ２０１８ ４ 　 检验方法 ４ ． １ 　 测试条件 ４ ． １ ． １ 　 标准大气条件 本标准中规定的试验应在 ＧＢ ／ Ｔ４９３７．１ — ２００６ 中规定的标准大气条件下进行 。 ４ ． １ ． ２ 　 加电工作条件 加电工作条件按规定 。 ４ ． １ ． ３ 　 试验条件和方法 如无特殊规定 ， 应按照 ＩＥＣ６０７４９ 规定的条件和方法进行试验 ， 如经试验证明由替代的方法进行检验合格的产品用规定的方法检验也合格 ， 则也可以用替代方法检验 。 进行探针测试时 ， 应按 ＳＪ ／ Ｔ１１３９９ — ２００９ 中 ４．１ 的规定 。 ４ ． ２ 　 结构 ４ ． ２ ． １ 　 外形尺寸 按附录 Ａ 规定的方法进行检验 ， 使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸 ， 应符合 ３．２．２ 的规定 。 ４ ．